
大気圧下のDCアーク放電により発生した熱プラズマジェット照射により、ミリ秒の短時間で石英基板表面温度を1000K以上に加熱する超速熱処理技術を開発した。アモルファスSi膜にこの熱処理を適用することにより多結晶化し、これを用いて薄膜トランジスタ(TFT)を作製することにより電界効果移動度が63cm2/Vsの高性能を達成した。

従来にない新しい非接触温度測定技術を開発。ミリ秒時間分解能で、1700K前後の測定温度に対する誤差は30K程度と高精度である。アモルファスSi膜の結晶化には従来エキシマレーザー結晶化(ELA)が用いられているが、これに比較して熱プラズマジェットによる結晶化は格段に低コストである。