広島大学 新技術説明会
1
材料
有機薄膜トランジスタ用の高性能・高安定性材料
11:00〜11:30
広島大学 大学院工学研究科 物質化学システム専攻
助教授 瀧宮 和男
http://home.hiroshima-u.ac.jp/f055406/

技術概要
薄膜トランジスタへ応用した際に、高性能(高移動度)、安定性(対大気安定性、長期安定性)、信頼性(低いオフ電流、繰り返し駆動)を併せもつ有機半導体に関する技術を提供する。

従来技術・競合技術との比較
広く用いられている代表的有機半導体であるペンタセンは高移動度を示すものの、対大気安定性や長期安定性に問題があった。本技術ではペンタセンと同程度の高性能でかつ、安定性、信頼性が大幅に向上した材料を提供するものである。
技術の特徴
有機薄膜トランジスタとして世界最高レベルの性能
大気中で安定に繰り返し駆動が可能
極めて低いオフ電流で、高いオン・オフ比を実現
想定される用途
フレキシブルディスプレイ駆動用トランジスタ
安価なIDタグ用トランジスタ材料
その他、センサー、スキャナなど大面積で可撓性を必要とする電子デバイス
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2
ナノテクノロジー
室温で多量の水素を吸蔵するマグネシウム材料
11:30〜12:00
広島大学 先進機能物質研究センター
日本学術振興会特別研究員PD 礒部 繁人
http://home.hiroshima-u.ac.jp/tichi/F/

技術概要
水素化マグネシウムに、少量(1モル%)の酸化ニオブを添加しミリング処理を施した材料は、非常に活性な状態となり、脱水素化処理した後には室温で速やか(15秒以内)に多量の水素(4重量%)を吸蔵する性質を示す。

従来技術・競合技術との比較
従来のマグネシウムは水素吸蔵に300℃以上の温度を必要とする。従来の水素吸蔵合金に比べて、水素質量密度が極めて高く(〜7mass%)、熱力学的な理由から原理的に室温での反応速度が著しく速い。
技術の特徴
多量の水素を貯蔵可能
室温で高速に水素吸蔵可能
優れたサイクル特性
想定される用途
水素貯蔵材料(定置式用・水素エンジン車用)
水素センサー
水素を捕獲するトラップ材料
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3
ナノテクノロジー
新しい有機半導体材料と薄膜トランジスタへの応用
13:20〜13:50
広島大学 工学研究科 応用化学講座
教授 大下 浄治
http://home.hiroshima-u.ac.jp/orgmtrls/main.html

技術概要
オリゴチオフェンをケイ素基で架橋した低分子材料を合成した。これらを真空蒸着法により薄膜化したところ、p-型の半導体として機能し、特に電解効果トランジスタとしての活性を示すことがわかった。

従来技術・競合技術との比較
今回の技術の基になる化合物は、安定で合成・取り扱いが容易であり、真空蒸着法により均一な薄膜にすることができる。この材料を用いて作成した電界効果型薄膜トランジスタは、良好な移動度・on/off比を示すことがわかった。
技術の特徴
合成が容易で安定
軽量・柔軟
低環境負荷
想定される用途
ディスプレイ材料(有機ELなど)
電子ペーパー
フレキシブル基板上での利用
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4
ナノテクノロジー
再生して繰り返し利用できる高選択性リン資源回収吸着剤
13:50〜14:200
広島大学 大学院工学研究科 物質化学システム専攻
教授 山中 昭司

技術概要
河川や湖沼、生活排水中に含まれるリンを資源として高選択的に回収できる吸着剤で、再生して繰り返し使用できることを特徴とする。

従来技術・競合技術との比較
リンを沈殿物として回収する従来のMAP法やHAP法と異なり、吸着により高選択的にリンを回収する点で、独自のものである。再生して繰り返し使用できるリン回収剤は他に見当たらない。
技術の特徴
高容量、高選択的なリン吸着剤、再生して繰り返し利用できる。
安価で大量生産でき、環境に優しい素材から構成される。フィルム状から粒状まで、成形可能。
1 ppmから数千ppm以上の広濃度域に分布するリンを効率的に回収できる。
想定される用途
河川や生活排水からのリンの除去と回収
高純度リン資源の確保
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5
材料
熱プラズマジェットによる超速熱処理を用いたSi結晶成長技術
14:20〜14:50
広島大学 先端物質科学研究科 半導体集積科学専攻
助教授 東 清一郎
http://home.hiroshima-u.ac.jp/semicon/


技術概要
大気圧下のDCアーク放電により発生した熱プラズマジェット照射により、ミリ秒の短時間で石英基板表面温度を1000K以上に加熱する超速熱処理技術を開発した。アモルファスSi膜にこの熱処理を適用することにより多結晶化し、これを用いて薄膜トランジスタ(TFT)を作製することにより電界効果移動度が63cm2/Vsの高性能を達成した。

従来技術・競合技術との比較
従来にない新しい非接触温度測定技術を開発。ミリ秒時間分解能で、1700K前後の測定温度に対する誤差は30K程度と高精度である。アモルファスSi膜の結晶化には従来エキシマレーザー結晶化(ELA)が用いられているが、これに比較して熱プラズマジェットによる結晶化は格段に低コストである。
技術の特徴
簡単な構造で大出力を発生できる熱プラズマジェットを利用
大気圧プロセス
ミリ秒時間分解能を有する非接触温度測定
想定される用途
あらゆる急速熱処理における非接触温度測定
非晶質半導体の結晶化および不純物活性化
薄膜トランジスタ(TFT)製造とディスプレイ応用
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6
材料
鋼のスパッタエッチングによる高密度・超微細・円錐状表面突起物の形成
15:00〜15:30
広島大学 大学院工学研究科 機械システム工学専攻
名誉教授中佐 啓治郎
http://zaikyou42.mec.hiroshima-u.ac.jp/

技術概要
鋼をスパッタエッチングすると、特別の条件下で,表面に硬くて微細な円錐状のCrやW等の炭化物が高密度に形成される。その半径は0.2〜3μm、高さは半径の約3倍で、鋼の化学成分や組織を変化させることにより、それらの種類、大きさ、分布などを制御できる。

従来技術・競合技術との比較
このような形状を有する表面を作製する技術には、電鋳や放電加工があるが、先端が鋭く、はく離しにくい層を形成することは困難である。
技術の特徴
突起物の形状が微細な円錐形であり、先端が鋭い。炭化物であるので硬い。
素地の内部から析出するので、脱落しにくい。
表面積が大きい。
想定される用途
触媒あるいは触媒用担体
マイクロマシンや精密機械の部品、搬送ロール
コールドエミッターあるいはその担体
薄膜コーティングの下地処理
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7
材料
三次元ベアチップ集積のための回路技術
15:30〜16:00
広島大学 大学院先端物質科学研究科 半導体集積科学専攻
助教授 佐々木 守
http://www.dsl.hiroshima-u.ac.jp/

技術概要
ベアチップの3次元集積では、独立に設計、製造されたICチップを組合せるため、システムLSIで問題となるTATの短縮や歩留まりの向上が期待できる。本講演では、3次元ベアチップ集積に応用できるスパイラル・インダクタ対を用いた無線相互結合技術について述べる。

従来技術・競合技術との比較
現在、精力的に研究、開発が行われている3次元チップ積層技術では、チップ間の相互接続のため、貫通ビア等の追加プロセスが必要である。一方、本方法では、スパイラル・インダクタ対を用いた無線相互結合技術であるため、特別なプロセスの追加なしに、チップ間のデータ通信が行える。
技術の特徴
従来のIC製造プロセスで実現可能
ボンディングワイヤ方式と比較して、非常に広いデータ伝送帯域
無線技術でありながら、極めてシンプルな回路構成
想定される用途
3次元メモリ集積
システム・イン・パッケージ
低EMCのチップ間伝送チャネル
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8
ナノテクノロジー
メソポーラスシリカと酸化物超微粒子のナノ複合化技術と高活性分子選択的光触媒材料
16:00〜16:30
広島大学 大学院工学研究科 物質化学システム専攻
助教授 犬丸 啓

技術概要
メソポーラスシリカとあらゆる酸化物超微粒子を複合化した新しいナノ複合材料とその合成技術を提供する。結晶性酸化チタン微粒子を用いた場合は、メソポーラスシリカの吸着機能と結晶性酸化チタンの高い光触媒機能が複合化し、分子選択性を有する高性能の吸着剤−光触媒複合体を提供できる。

従来技術・競合技術との比較
従来、メソポーラスシリカ等に他の酸化物を複合化する場合、メソ細孔内部に当該酸化物を微細に分散させることが行われていた。本技術は、微粒子を多孔体と直接複合化する技術とそれによる新規材料を提供する。結晶性酸化チタンを使うと、従来にない極めて高活性かつ従来達成できなかった分子選択性を有する複合光触媒を実現できる。
技術の特徴
メソポーラス材料と微粒子を直接複合化した新規材料を提供すること。
高性能の吸着剤−光触媒複合体として応用できること。
想定される用途
光触媒による環境浄化(空気、水)
石油化学をはじめとする固体触媒の合成
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展示
 広島大学の新技術の説明のほか、広島大学のシーズ(当日プログラム以外も含みます。)および産学連携活動について、パネル等で紹介します。また、「e-seeds.jp」、「J-STORE」、「JDreamU」など、産学連携に関連する科学技術振興機構の各種データベースのデモを会場付近で行いますので、是非ともお立ち寄りください。

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技術内容・ライセンスについて

広島大学 社会連携機構
産学連携センター 知的財産部門
tel.082-424-5597
fax.082-424-6133
mail chizai@hiroshima-u.ac.jp
URL:http://www.hiroshima-u.ac.jp/top/kenkyusyo/p_5823b2.html



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